[发明专利]晶界层晶粒晶界性能的微米级电极制备方法及测试方法

权利要求书

1.一种晶界层晶粒晶界性能的微米级电极制备方法，其特征在于，包括：

在晶界层上制备微米级金电极；

在所述晶界层的表面均匀涂覆一层光刻胶并进行固化；

使用图形化掩膜版对表面涂覆固化有光刻胶的晶界层基片进行曝光；

使用蚀刻液蚀刻无光刻胶保护图层的所述微米级金电极后，进行清洗得到微米级电极。

2.根据权利要求1所述的晶界层晶粒晶界性能的微米级电极制备方法，其特征在于，所述在晶界层上制备微米级金电极，具体包括：

在晶界层基片上的晶粒内部或晶界处制备微米级金电极。

3.根据权利要求1所述的晶界层晶粒晶界性能的微米级电极制备方法，其特征在于，所述图形化掩膜版带有m╳m中方阵的大方阵；所述中方阵由n╳n小方阵形成；所述小方阵由1╳1的微米级金电极形成；每一所述小方阵上均设置有编码。

4.根据权利要求1所述的晶界层晶粒晶界性能的微米级电极制备方法，其特征在于，所述微米级电极的尺寸根据晶粒大小确定。

5.根据权利要求1所述的晶界层晶粒晶界性能的微米级电极制备方法，其特征在于，采用薄金工艺在晶界层上制备微米级金电极。

6.根据权利要求1所述的晶界层晶粒晶界性能的微米级电极制备方法，其特征在于，曝光时间为20-40秒，显影时间为40-60秒。

7.根据权利要求1所述的晶界层晶粒晶界性能的微米级电极制备方法，其特征在于，所述蚀刻液为金腐蚀液。

8.根据权利要求1所述的晶界层晶粒晶界性能的微米级电极制备方法，其特征在于，使用蚀刻液蚀刻无光刻胶保护图层的所述微米级金电极后，采用丙酮超声清洗15分钟得到微米级电极。

9.一种晶界层晶粒晶界性能的测试方法，其特征在于，包括：

制备晶界层基片；

在所述晶界层基片中找到分布于晶界两边的微米级电极块；所述微米级电极块中包含的微米级电极由权利要求1-8任意一项所述的晶界层晶粒晶界性能的微米级电极制备方法制备得到；

以所述微米级电极块为测试点，测试晶界的电性能；所述电性能包括：容量、绝缘电阻、CV特性和IV曲线；

将所述电性能与晶粒大小、晶界类型进行归类，对比电性能差异。