[发明专利]发热芯片的制备方法及发热芯片在审
| 申请号： | 202111105363.8 | 申请日： | 2021-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN113873698A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李永武;杨敏;陈占洋 | 申请（专利权）人： | 光之科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H05B3/20 | 分类号： | H05B3/20;H05B3/06;H05B3/02;C23C14/12;C23C14/10;C23C14/08;C23C14/06;C23C14/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100089 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提出一种发热芯片的制备方法及发热芯片，发热芯片的制备方法包括在基底上进行真空镀膜，形成第一加热层；在第一加热层上进行第二次真空镀膜，形成隔断层；在隔断层上进行第三次真空镀膜，形成第二加热层；选取第一导电条和第二导电条分别与第一加热层两端电连接形成第一电路；选取第三导电条和第四导电条分别与第二加热层两端电连接形成第二电路；将第一加热层、隔断层和第二加热层封装以形成发热芯片。本发明在发热芯片制备的过程中形成双层加热结构，且用隔断层分割成两个独立加热单元，既可以在预热阶段同时开启加快预热时间，也可以在加热过程中单独工作防止功率过大。 | ||
| 搜索关键词： | 发热 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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