[发明专利]发热芯片的制备方法及发热芯片

说明书

本发明实施例提出一种发热芯片的制备方法及发热芯片，发热芯片的制备方法包括在基底上进行真空镀膜，形成第一加热层；在第一加热层上进行第二次真空镀膜，形成隔断层；在隔断层上进行第三次真空镀膜，形成第二加热层；选取第一导电条和第二导电条分别与第一加热层两端电连接形成第一电路；选取第三导电条和第四导电条分别与第二加热层两端电连接形成第二电路；将第一加热层、隔断层和第二加热层封装以形成发热芯片。本发明在发热芯片制备的过程中形成双层加热结构，且用隔断层分割成两个独立加热单元，既可以在预热阶段同时开启加快预热时间，也可以在加热过程中单独工作防止功率过大。

技术领域

本发明涉及发热建材技术领域，尤其涉及一种发热芯片的制备方法及发热芯片。

背景技术

目前南方没有有效的采暖措施，冬季寒冷潮湿；因此，多采用磁控技术在绝缘的基板上制备导电层或者电阻层，并通过导电条通电加热导电层或者电阻层进行供暖。但是，由于导电层完全覆盖在基板上，如果功率太小，导电层在进行加热的时候，需要预热时间很久，如果功率太大，导电层在进行加热过程中会因为功率过大产生高温，易产生火灾等危害。

发明内容

本发明实施例提供一种发热芯片的制备方法及发热芯片，以解决现有技术中的一个或者多个技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种发热芯片的制备方法，所述方法包括：

在基底上进行真空镀膜，形成第一加热层；

在第一加热层上进行第二次真空镀膜，形成隔断层；

在隔断层上进行第三次真空镀膜，形成第二加热层；其中，所述第一加热层、隔断层以及第二加热层的面积逐渐减小，以使所述第一加热层、隔断层以及第二加热层两端以阶梯方式堆叠；

选取第一导电条和第二导电条分别与所述第一加热层两端电连接形成第一电路；

选取第三导电条和第四导电条分别与所述第二加热层两端电连接形成第二电路；

将所述第一加热层、隔断层和第二加热层封装以形成发热芯片。

在一种较佳的实施方式中，所述第一导电条和所述第三导电条同一侧间隔设置且所述第一导电条和所述第三导电条之间的间隙为隔断层，所述第二导电条和所述第四导电条同一侧间隔设置且所述第二导电条和所述第四导电条之间的间隙为隔断层，以使所述第一电路和所述第二电路独立工作。

在一种较佳的实施方式中，所述第一加热层的厚度范围包括10nm～1000nm。

在一种较佳的实施方式中，所述第二加热层的厚度范围包括10nm～1000nm。

在一种较佳的实施方式中，所述在基底上进行真空镀膜，以形成第一加热层的步骤之前还包括：

在基底表面涂布预涂层，并将预涂层进行第一次固化；

在预涂层上涂布硬化材料，以形成硬化层，并将硬化层进行第二次固化。

在一种较佳的实施方式中，所述第一加热层和所述第二加热层包括ZnOxS(1-x)(硫掺杂氧化锌)、InOxS(1-x)(硫掺杂氧化铟)、SnxIn(1-x)O(氧化铟锡)、ZnxMg(1-x)O(镁掺杂氧化锌)、ZnxAl(1-x)O(氧化锌铝)、ATO(锑掺杂氧化锡)、FTO(氟掺杂氧化锡)、CTO(锡酸镉)、CdO(氧化镉)、FZO(氟掺杂氧化锌)、SiC(碳化硅)、NiO(氧化亚镍)、Cu₂O(氧化亚铜)和SnO(一氧化锡)中的一种或多种。

在一种较佳的实施方式中，所述隔断层包括二氧化硅、环氧树脂、聚酯、聚氨酯、有机硅树脂、聚酰亚胺醇酸树脂中的一种或多种。

第二方面，本发明实施例提供了一种发热芯片，包括：

基底；