[发明专利]一种P型热电材料GeSi靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 202111083905.6 | 申请日： | 2021-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN113897503B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 沈文兴;白平平;童培云 | 申请（专利权）人： | 先导薄膜材料（广东）有限公司 |
| 主分类号： | C22C1/02 | 分类号： | C22C1/02;C22C1/05;B22F9/04;B22F3/14;C22C28/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;郝传鑫 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型热电材料GeSi靶材及其制备方法，涉及合金靶材技术领域，所述制备方法包括如下步骤：(1)将锗颗粒、硅颗粒放入磁悬浮感应熔炼炉中加热至熔化，保温，水冷，得到锗硅合金锭；(2)破碎锗硅合金锭，球磨，得到锗硅合金粉，加入硼粉，所述硼粉占锗硅合金粉的质量分数为0.3～1.5％，均质，得到掺硼锗硅合金粉；(3)将掺硼锗硅合金粉放入模具中，在真空热压炉中预压以排除模具中的空气，得到掺硼锗硅合金坯体；关闭炉门，抽真空，升温至1300～1400℃后保温，保温30～60min后加压，压力为30～35MPa，保温保压60～90min，降压，冷却，得到所述GeSi靶材。由本发明所述方法制备的GeSi靶材的相对密度均可达到98％以上，氧含量低于500ppm，电阻率小于0.001Ω·cm，组分均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 热电 材料 gesi 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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