[发明专利]一种具有隧穿结构的深紫外LED及其制备方法在审
| 申请号： | 202111076064.6 | 申请日： | 2021-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN113809211A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 张毅;张骏;岳金顺 | 申请（专利权）人： | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 张璐 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有隧穿结构的深紫外LED及其制备方法，该具有隧穿结构的深紫外LED由下至上依次设置有蓝宝石衬底、AlN缓冲层、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、量子阱有源层、p型AlGaN电子阻挡层、GaN隧穿层以及n型AlGaN接触层，p型AlGaN电子阻挡层、GaN隧穿层以及n型AlGaN接触层构成复合隧穿结构。本发明提供了一种具有隧穿结构的深紫外LED及其制备方法，通过P‑AlGaN/i‑GaN/n‑AlGaN复合隧穿结构来提高注入到量子阱中的载流子浓度，进而提高深紫外LED的量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 结构 深紫 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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