[发明专利]一种低共熔体掺杂的水溶性聚噻吩复合薄膜及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202111068858.8 申请日: 2021-09-13
公开(公告)号: CN113737240B 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 蒋海云;吴威;张维莉;曾海兰 申请(专利权)人: 湖南工业大学
主分类号: C25D9/02 分类号: C25D9/02;C08G61/12;C03C17/42
代理公司: 北京卓岚智财知识产权代理有限公司 11624 代理人: 郭智
地址: 412007*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明提供了一种低共熔体掺杂的水溶性聚噻吩复合薄膜及其制备方法和应用,属于电致变色技术领域。首先将聚苯乙烯磺酸钠(PSS)掺杂放入含3,4乙烯二氧噻吩,高氯酸锂,十二烷基苯磺酸钠水溶液中,得到含有大量均匀分散的阴离子水沉积溶液,以替代传统的有机溶剂基沉积液;同时加入低共熔体(氯化胆碱/尿素)促进EDOT在水溶液中的均匀分散,增加溶液中自由运动离子;随后使用电化学工作站进行电化学沉积,得到低共熔体掺杂的水溶性聚噻吩复合薄膜。本发明采用原位电化学聚合法,通过二次掺杂,实现PEDOT的水溶性沉积制备,得到的薄膜具备高电致变色性能的同时,具有高循环稳定性及电化学活性。
搜索关键词: 一种 低共熔体 掺杂 水溶性 噻吩 复合 薄膜 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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