[发明专利]一种高介电、低损耗和高击穿强度的聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202111055221.5 | 申请日： | 2021-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN113773536A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 翁凌;许子祺;关丽珠;王小明 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L27/16;C08K9/06;C08K3/24;C08K7/18;H01G4/18 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 刘景祥 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高介电、低损耗和高击穿强度的聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法和应用，属于高性能电容器和储能器件等应用领域。本发明要解决PVDF介电常数有限难以满足电容器和储能器件对高介电性能要求的技术问题。本发明是先用硅烷偶联剂改性的纳米钛酸铋钠，纳米钛酸铋钠的形貌为球状，以聚偏氟乙烯作为基体；方法：将硅烷偶联剂改性的纳米钛酸铋钠加入N,N‑二甲基甲酰胺中，超声搅拌2h，加入聚偏氟乙烯粉末，超声搅拌反应2h；铺膜，烘干；热压。本发明用于制作电容器和储能器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高介电 损耗 击穿 强度 聚偏氟 乙烯基 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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