[发明专利]用于改善反应腔粉尘的预镀膜方法及所形成的预镀膜在审

专利信息
申请号: 202111054816.9 申请日: 2021-09-09
公开(公告)号: CN113755816A 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 马哲国 申请(专利权)人: 理想万里晖真空装备(泰兴)有限公司
主分类号: C23C16/24 分类号: C23C16/24;C23C16/505;H01L31/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 225400 江苏省泰*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种用于改善反应腔粉尘的预镀膜方法及所形成的预镀膜。所述方法首先将承载硅片用托盘传送至反应腔并进行第一沉积工艺,在托盘表面形成第一非晶硅层;然后在反应腔中进行第二沉积工艺,在第一非晶硅层上形成第二非晶硅层;最后在反应腔中进行第三沉积工艺,在第二非晶硅层上形成第三非晶硅层;其中第一沉积工艺的沉积压力、氢气流量、硅烷流量、射频功率、沉积时间分别为0.1~1mbar、100~3000sccm、50~500sccm、50~1000W、20~100S,第二沉积工艺的沉积压力、硅烷流量、射频功率、沉积时间分别为0.5~1.5mbar、500~1800sccm、400~2000W、200~700S,第三沉积工艺的沉积压力、氢气流量、硅烷流量、射频功率、沉积时间分别为0.1~1mbar、100~2000sccm、50~1500sccm、50~1000W、20~100S。本发明能减少粉尘,降低清洗频率。
搜索关键词: 用于 改善 反应 粉尘 镀膜 方法 形成
【主权项】:
暂无信息
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