[发明专利]磁浮装置和微动台在审
| 申请号： | 202111033000.8 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN113745138A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 彭仁强;胡兵;江旭初;袁嘉欣 | 申请（专利权）人： | 上海隐冠半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/68;H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海上谷知识产权代理有限公司 31342 | 代理人： | 蔡继清 |
| 地址： | 200135 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种磁浮装置，包括：内基磁体、第一端部磁钢、第二端部磁钢、内磁环磁钢阵列和线圈阵列，内基磁体沿轴向延伸；第一端部磁钢和第二端部磁钢分别位于内基磁体的两个轴向端并沿轴向延伸，且第一端部磁钢和第二端部磁钢的外径分别沿远离内基磁体的两个轴向端方向逐渐增大；内磁环磁钢阵列包括沿轴依次排列的至少一个内磁钢，内磁钢呈圆筒状，且每个内磁钢与内基磁体同轴设置，内磁环磁钢阵列位于内基磁体外且与内基磁体径向间隔开；线圈阵列包括多个线圈，多个线圈沿周向排列且沿周向间隔开，线圈阵列位于内磁环磁钢阵列外、与内磁环磁钢阵列径向间隔开；其中内基磁体、第一端部磁钢、第二端部磁钢以及线圈阵列相对固定。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 微动 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海隐冠半导体技术有限公司，未经上海隐冠半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111033000.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：内配光镜、车灯及汽车
- 下一篇：排气组件、半导体工艺设备和晶圆冷却控制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
