[发明专利]一种可靠性增强的III族氮化物半导体高电子迁移率晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202111029221.8 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN114141870A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 陈敬;张力;郑柘炀 | 申请（专利权）人： | 香港科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/51;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 中国香港*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 半导体器件包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、p型掺杂氮化物半导体层、第一表面加固层及栅极电极。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上。源极电极及漏极电极设置于第二氮化物半导体层上。p型掺杂氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层上。第一表面加固层设置于p型掺杂氮化物半导体层上，p型掺杂氮化物半导体层与第一表面加固层具有相同的III族元素。第一表面加固层还具有氧元素，且其与III族元素于第一表面加固层中形成键结。栅极电极与第一表面加固层之间定义出栅极窗口，栅极窗口的宽度小于p型掺杂氮化物半导体层的宽度或是与p型掺杂氮化物半导体层的宽度一致。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 增强 iii 氮化物 半导体 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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