[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111028200.4 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN114141855A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 中泽芳人;今井朋弘 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 罗利娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体器件及其制造方法。根据一个实施例的一种半导体器件包括在硅衬底的背表面上具有p型集电极层和n型场截止层的IGBT。n型场截止层被选择性地设置在p型集电极层的上侧，使得n型场截止层的第一端部以预定距离与硅衬底的第一侧表面分开，并且在硅衬底的第一侧表面与n型场截止层的第一端部之间设置有n型漂移层。n型漂移层的杂质浓度低于n型场截止层的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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