[发明专利]IGBT元胞结构、芯片及车辆在审
| 申请号： | 202111022566.0 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN115732534A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 王慧慧;黄宝伟 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京景闻知识产权代理有限公司 11742 | 代理人： | 贾玉姣 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种IGBT元胞结构、芯片和车辆，包括：多个元胞子结构；至少一个P+柱，相邻两个元胞子结构通过P+柱连接；N‑漂移区和金属发射极，每个元胞子结构的每个P型阱区设置在N‑漂移区和金属发射极之间，P+柱的一端与金属发射极连通且另一端与N‑漂移区连通；N型缓冲层；P型集电区；多个载流子存储层。本发明通过设置载流子存储层，在IGBT元胞结构导通时，使得载流子存储层下方的空穴不会被P型阱区和载流子存储层的反偏PN结抽取，从而降低饱和压降，以及，通过设置P+柱，在器件导通时，提高其抗闩锁能力，在器件关断时，通过碰撞电离产生的电子抽取N‑漂移区中的空穴，从而降低关断时间和关断损耗。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 结构 芯片 车辆 | ||
【主权项】：
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