[发明专利]啁啾量子点超辐射发光管及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 202111008090.5 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115732603A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 王虹;杨涛;吕尊仁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种啁啾量子点超辐射发光管，包括：衬底(10)；有源区下盖层(20)；至少一层有源区(30)，每层有源区(30)至下而上包括N型掺杂的量子点层(31)、第一盖层(32)、第二盖层(33)，并形成啁啾多层量子点结构；有源区上盖层(40)。本公开通过对啁啾量子点进行N型掺杂，可提供额外的电子钝化非辐射复合中心，并且提供了过量的载流子占据更高的激发态能级，因此针对啁啾量子点光谱相对均匀量子点较宽，但更高能级量子点填充不充分的问题得到了很好的弥补，与传统的啁啾量子点超辐射发光管相比有更宽的发光谱，最终同时提高了超辐射发光管的功率和谱宽。 | ||
| 搜索关键词： | 啁啾 量子 辐射 发光 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
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