[发明专利]啁啾量子点超辐射发光管及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 202111008090.5 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115732603A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 王虹;杨涛;吕尊仁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 啁啾 量子 辐射 发光 及其 制备 方法 用途 | ||
1.一种啁啾量子点超辐射发光管，其特征在于，包括：
衬底(10)；
有源区下盖层(20)；
至少一层有源区(30)，每层所述有源区(30)至下而上包括N型掺杂的量子点层(31)、第一盖层(32)、第二盖层(33)，并形成啁啾多层量子点结构；
有源区上盖层(40)。
2.根据权利要求1所述的啁啾量子点超辐射发光管，其特征在于，所述N型掺杂的量子点层(31)中量子点为InAs，掺杂元素包括P、As、Si中的一种；
所述N型掺杂的量子点层(31)的厚度为0～5ML。
3.根据权利要求2所述的啁啾量子点超辐射发光管，其特征在于，所述第一盖层(32)为InGaAs，厚度为0～40nm；所述第二盖层(33)为GaAs，生长厚度为0～50nm。
4.根据权利要求1所述的啁啾量子点超辐射发光管，其特征在于，所述形成啁啾多层量子点结构包括依次改变所述N型掺杂的量子点层(31)中量子点的厚度、依次改变所述第一盖层(32)的厚度或者组分。
5.根据权利要求1所述的啁啾量子点超辐射发光管，其特征在于，所述有源区(30)的层数为1～100。
6.根据权利要求1所述的啁啾量子点超辐射发光管，其特征在于，所述有源区下盖层(20)至下而上包括缓冲层(21)、下限制层(22)、下波导层(23)。
7.根据权利要求6所述的啁啾量子点超辐射发光管，其特征在于，所述有源区上盖层(40)至下而上包括上波导层(41)、上限制层(42)、欧姆接触层(43)。
8.根据权利要求7所述的啁啾量子点超辐射发光管，其特征在于，所述衬底(10)为GaAs。
9.一种啁啾量子点超辐射发光管的制备方法，其特征在于，包括：
S1，在衬底(10)上生长有源区下盖层(20)；
S2，在所述有有源区下盖层(20)上生长至少一层有源区(30)，每层有源区(30)至下而上包括N型掺杂的量子点层(31)、第一盖层(32)、第二盖层(33)，并形成啁啾多层量子点结构；
S3，在所述有源区(30)上生长有源区上盖层(40)。
10.根据权利要求1～8中任意一项所述的啁啾量子点超辐射发光管在光学相干断层扫描中的应用。
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