[发明专利]一种OLED器件、制造方法及显示装置在审
| 申请号： | 202111006573.1 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113745296A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 徐乾坤 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种OLED器件、制造方法及显示装置，其中，一种OLED器件，包括：源漏极层、绝缘层、有机层，所述绝缘层设于所述源漏极层上；所述有机层设于所述绝缘层上且与所述源漏极层电连接。通过在所述绝缘层上设置有机层，在保证所述有机层在实现平坦化作用的同时具有导电作用，将现有技术中的平坦化层以及阳极层“合二为一”，减少了工艺制备流程，简化了制备工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 oled 器件 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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