[发明专利]一种OLED器件、制造方法及显示装置在审
申请号: | 202111006573.1 | 申请日: | 2021-08-30 |
公开(公告)号: | CN113745296A | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 徐乾坤 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 官建红 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 器件 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种OLED器件,其特征在于,包括:
源漏极层;
绝缘层,所述绝缘层设于所述源漏极层上;
有机层,所述有机层具有导电性,且设于所述绝缘层上且与所述源漏极层电连接。
2.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述OLED器件还包括像素定义层,所述像素定义层设于所述有机层上,所述像素定义层上设有开口,所述有机层背向所述绝缘层的一面露出于所述开口内。
3.根据权利要求2所述的OLED器件,其特征在于,所述有机层背向所述绝缘层的一面为平坦面,所述平坦面上制备有发光层,所述发光层设于所述开口内。
4.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述绝缘层面向所述有机层的一面设有第二凸起部,所述有机层对应所述第二凸起部的位置设有凹陷部,所述第二凸起部与所述凹陷部嵌合。
5.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述绝缘层上设有开孔,所述有机层穿过所述开孔与所述源漏极层电连接。
6.根据权利要求5所述的OLED器件,其特征在于,所述有机层面向所述绝缘层的一面设有第一凸起部,所述第一凸起部嵌设于所述开孔内且端部与所述源漏极层的源极连接。
7.根据权利要求1-6任一项所述的OLED器件,其特征在于,所述有机层包括平坦化材料和金属粒子。
8.一种OLED显示装置,包括背板以及OLED器件,其特征在于,所述OLED器件为如权利要求1至7任意一项所述的OLED器件,所述有机层为所述OLED显示器件的阳极层。
9.一种背板制备方法,其特征在于,包括:
提供一基板,所述基板上依次层叠制备源漏极层、绝缘层;
在所述绝缘层上制备有机层,其中,所述有机层与所述源漏极层电连接。
10.根据权利要求9所述的背板制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:
在所述有机层上制备像素定义层,所述像素定义层上设有开口,所述有机层背向所述绝缘层的一面露出于所述开口内。
11.根据权利要求10所述制备方法,其特征在于,所述在所述绝缘层上制备有机层,之前包括:
在所述绝缘层上开孔;和/或;
所述在所述有机层上制备像素定义层,所述像素定义层上设有开口,所述有机层背向所述绝缘层的一面露出于所述开口内,之后还包括:
在所述有机层上制备发光层,所述发光层设于所述开口内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的