[发明专利]低辐射漏电高压LDMOS器件有效
| 申请号： | 202110998545.6 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113594258B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 周锌;陈星江;吴中华;王钊;耿立明;乔明;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/552 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低辐射漏电高压LDMOS器件结构，该器件包括AB、AC和AD三个不同截面结构。相比传统高压LDMOS器件结构，本发明在AB截面和AD截面之间增加了一个AC截面结构。元胞区和非元胞区(场区)交界处往非元胞区一侧，即AC截面，补充注入了一个第一导电类型重掺杂区域，从而切断了辐射漏电途径，避免了总剂量辐射引起的器件漏电现象，降低了器件的关态损耗，提高了器件抗总剂量辐射能力。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 漏电 高压 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
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