[发明专利]一种高熵二硅化物及其制备方法

摘要

本发明涉及一种高熵二硅化物及其制备方法，属于高熵陶瓷材料技术领域。所述高熵二硅化物是由Mo、W、Ta、V、Nb以及Si六种元素按照1:1:1:1:1:10的摩尔比合金化形成的具有C40晶体结构的单相化合物，致密度大于99.2％，维氏硬度为14GPa～18GPa，热导率为7W·m‑1·k‑1～11W·m‑1·k‑1，而且该高熵二硅化物具有优异的抗氧化性能。采用热压烧结工艺制备所述高熵二硅化物，克服了烧结过程中金属粉末和硅粉易碳化以及金属元素易氧化的情况，而且有利于实现元素间的均匀扩散，得到纯度较高、热稳定性较高的产物；该工艺简单，易于操作，有利于实现高熵二硅化物的大量生产。