[发明专利]一种高熵二硅化物及其制备方法

权利要求书

1.一种高熵二硅化物，其特征在于：所述高熵二硅化物是由Mo、W、Ta、V、Nb以及Si六种元素按照1:1:1:1:1:10的摩尔比合金化形成的具有C40晶体结构的单相化合物，致密度大于99.2％，维氏硬度为14GPa～18GPa，热导率为7W·m^-1·k^-1～11W·m^-1·k^-1。

2.一种如权利要求1所述的一种高熵二硅化物的制备方法，其特征在于：所述方法步骤如下：

按照1:1:1:1:1:10的摩尔比将Mo、W、Ta、V、Nb以及Si元素对应的单质粉体混合均匀，得到混合粉体；将混合粉体装入石墨模具中，再将盛有混合粉体的石墨模具放入热压炉中，在惰性气体保护气氛下，加热至1200℃～1700℃并加压至20MPa～40MPa，保温保压60min～120min；在惰性气体保护气氛下冷却至室温，或者先在惰性气体保护气氛下冷却至≤300℃再通过对热压炉进行抽真空的方式继续冷却至室温，得到所述高熵二硅化物。

3.根据权利要求2所述的一种高熵二硅化物的制备方法，其特征在于：单质粉体的粒径≤45μm。

4.根据权利要求2所述的一种高熵二硅化物的制备方法，其特征在于：单质粉体的纯度≥99wt％。

5.根据权利要求2所述的一种高熵二硅化物的制备方法，其特征在于：将Mo、W、Ta、V、Nb以及Si元素对应的单质粉体加入球磨罐中，加入无水乙醇作为球磨介质，按照(5～10):1的球料比加入球磨珠，在200r/min～400r/min的转速下球磨12h～24h将单质粉体混合均匀，再除去球磨后浆料中的无水乙醇，得到混合粉体。

6.根据权利要求2所述的一种高熵二硅化物的制备方法，其特征在于：放置在石墨模具底部以及顶部的石墨垫片，且与混合粉体接触的表面上涂敷氮化硼粉。

7.根据权利要求2所述的一种高熵二硅化物的制备方法，其特征在于：热压炉中惰性气体的压强为2kPa～6kPa。

8.根据权利要求2所述的一种高熵二硅化物的制备方法，其特征在于：以5℃/min～10℃/min的速率将温度升至1200℃～1700℃。