[发明专利]一种半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202110993761.1 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113808924A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 万彩萍;田丽欣;桑玲;罗松威;许恒宇;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 史晶晶 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制备方法。一种半导体器件的制备方法，包括：提供具有掺杂的SiC外延片；在SiC外延片上形成第一掩膜层；对第一掩膜层进行图形化处理，曝露出第一离子注入区域；向第一离子注入区域进行离子注入，注入类型与SiC外延片的掺杂类型相同；去除第一掩膜层；去除第一掩膜层之后在SiC外延片上形成第二掩膜层；对第二掩膜层进行图形化处理，曝露出第二离子注入区域；向第二离子注入区域进行离子注入，注入类型根据半导体器件中离子注入结构的类型确定；去除第二掩膜层；激活第二离子注入区域注入的离子；制作半导体器件的其他结构。该方法旨在解决器件在雪崩击穿过程中电荷在第二注入边缘区域聚集发生击穿的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
