[发明专利]一种N型电池硼扩SE结构的制作方法在审
| 申请号： | 202110986034.2 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113948374A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 欧文凯;向亮睿 | 申请（专利权）人： | 普乐新能源科技（徐州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博;卓彩霞 |
| 地址： | 221399 江苏省徐州市高新技*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种N型电池硼扩SE结构的制作方法，采用高温扩散制作轻掺杂区，搭配激光开槽+硼浆印刷制作重掺杂区的方法，形成N型电池硼扩SE结构。由于重掺杂区的激光开槽及硼浆印刷图形与丝网印刷图形一致，该电池正面结构使得非印刷区为轻掺高方阻，提高光线的短波响应，同时丝网印刷区为重掺低方阻，减少前金属电极的接触电阻，使得短路电流、开路电压和填充因子都得到较好的改善，从而提高转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电池 se 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
