[发明专利]使用具有导电贵金属氧化物电极的氧化钛电介质的低泄漏薄膜电容器在审
| 申请号： | 202110985449.8 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN114255988A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | T·索纳尔特;K·奥乌兹;N·普拉布高纳卡尔;A·阿列克索夫;H·布劳尼施;I-C·邓 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01G4/008 | 分类号： | H01G4/008;H01G4/10;H01G4/33;H01L23/64 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了用于去耦、功率输送、集成电路的低泄漏薄膜电容器、相关系统和制造方法。这种薄膜电容器包括二氧化钛电介质和一个或多个贵金属氧化物电极。这种薄膜电容器适合于高电压应用，并提供低电流密度泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 具有 导电 贵金属 氧化物 电极 氧化 电介质 泄漏 薄膜 电容器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110985449.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
