[发明专利]使用具有导电贵金属氧化物电极的氧化钛电介质的低泄漏薄膜电容器

权利要求书

1.一种薄膜电容器，包括：

第一电极；

第二电极；以及

在所述第一电极和所述第二电极之间的包括钛和氧的介电层，其中，所述第一电极或所述第二电极中的至少一个包括贵金属和氧。

2.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其中，所述第一电极包括所述贵金属和氧，并且所述第二电极包括氧、以及所述贵金属或第二贵金属中的一种。

3.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其中，所述第一电极包括所述贵金属和氧，并且所述第二电极包括所述贵金属或第二贵金属中的一种并且基本上不含氧。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的薄膜电容器，其中，所述第一电极包括所述贵金属和不小于30％的氧，并且所述贵金属包括铱。

5.根据权利要求4所述的薄膜电容器，还包括：

在所述第一电极上的包括钛的层。

6.根据权利要求5所述的薄膜电容器，其中，所述第二电极包括铱并且基本上不含氧。

7.根据权利要求6所述的薄膜电容器，其中，所述第二电极在铜层上。

8.根据权利要求5所述的薄膜电容器，其中，所述第二电极包括铱和氧，所述薄膜电容器还包括：

铜层；以及

在所述第二电极和所述铜层之间的包括铱并且基本上不含氧的第二层。

9.根据权利要求1至3中的任一项所述的薄膜电容器，其中，所述介电层具有在20nm至100nm范围内的厚度。

10.根据权利要求9所述的薄膜电容器，其中，所述介电层包括纳米结晶或非晶氧化钛中的一种。

11.根据权利要求1至3中的任一项所述的薄膜电容器，其中，所述第一电极包括所述贵金属和不小于30％的氧，所述贵金属包括铱、钌、银或锇中的一种，并且所述第二电极包括铱、钌、银或锇中的一种。

12.一种系统，包括：

电源；

集成电路管芯，在封装衬底之上并且耦合到所述电源；以及

在所述封装衬底中的薄膜电容器，所述薄膜电容器包括在第一电极和第二电极之间的包括钛和氧的介电层，其中，所述第一电极或所述第二电极中的至少一个包括贵金属和氧。

13.根据权利要求12所述的薄膜电容器，其中，所述第一电极包括所述贵金属和氧，并且所述第二电极包括氧、以及所述贵金属或第二贵金属中的一种。

14.根据权利要求12所述的薄膜电容器，其中，所述第一电极包括所述贵金属和氧，并且所述第二电极包括所述贵金属或第二贵金属中的一种并且基本上不含氧。

15.根据权利要求12至14中的任一项所述的系统，其中，所述第一电极包括所述贵金属和不小于30％的氧，所述贵金属包括铱，并且所述第二电极包括铱并且基本上不含氧。

16.根据权利要求15所述的系统，其中，所述薄膜电容器还包括在所述第一电极上的包括钛的层。

17.根据权利要求12至14中的任一项所述的系统，其中，所述介电层包括具有在20nm至100nm范围内的厚度的纳米晶体或非晶氧化钛。

18.根据权利要求12至14中的任一项所述的系统，其中，所述第一电极包括所述贵金属和不小于30％的氧，并且所述贵金属包括铱、钌、银或锇中的一种。