[发明专利]一种热压烧结制备高导热氮化硅陶瓷的方法有效
| 申请号： | 202110982679.9 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113735594B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 秦明礼;王月隆;田建军;吴昊阳;贾宝瑞;张智睿;章林;曲选辉 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/645 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于陶瓷制备领域，具体涉及一种热压烧结制备高导热氮化硅陶瓷的方法。该方法是将氮化硅粉体与烧结助剂按一定比例混合均匀，首先将混合后的粉体在低温、常压、通氮气条件下进行预处理；再经过研磨、过筛；随后在热压炉中进行高温烧结。经过预处理的粉体氧含量有明显降低，热压制备的氮化硅陶瓷热导率沿压力方向大于80W/m·K，垂直于压力方向大于120W/m·K。经过处理后的粉体氧含量低，烧结样品不仅具有高致密度，第二相分布均匀且含量少，可一步得到高导热氮化硅陶瓷。该方法可有效减少陶瓷中第二相含量，降低氧对陶瓷导热性能的影响，制备工艺简单、高效。为高氧含量氮化硅粉体制备导热性能优异的陶瓷提供方向。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 热压 烧结 制备 导热 氮化 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
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