[发明专利]一种高铝组分氮化物欧姆接触器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110982636.0 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113808942A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;芦浩;邓龙格;杨凌;侯斌;陈炽;武玫;张濛;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/28;H01L29/45;H01L29/778 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高铝组分氮化物欧姆接触器件及其制备方法，制备方法包括：在衬底层上依次生长成核层、缓冲层、沟道层、插入层和高铝组分氮化物势垒层；刻蚀部分高铝组分氮化物势垒层、部分插入层和部分沟道层直至缓冲层内；在高铝组分氮化物势垒层上形成图形化阵列光刻区域；根据图形化阵列光刻区域刻蚀高铝组分氮化物势垒层形成若干凹槽；分别在源电极区域和漏电极区域的若干凹槽内和高铝组分氮化物势垒层形成源电极和漏电极；在高铝组分氮化物势垒层、源电极和漏电极上生长钝化层；刻蚀栅电极区域的钝化层，在栅电极区域形成栅电极；在栅电极、源电极和漏电极上分别沉积互联金属。本发明工艺简单，制备了低接触电阻率的欧姆接触器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 组分 氮化物 欧姆 接触 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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