[发明专利]一种高铝组分氮化物欧姆接触器件及其制备方法

权利要求书

1.一种高铝组分氮化物欧姆接触器件的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底层的上表面依次生长成核层、缓冲层、沟道层、插入层和高铝组分氮化物势垒层；

刻蚀掉包括所述衬底层、所述成核层、所述缓冲层、所述沟道层、所述插入层和所述高铝组分氮化物势垒层整体结构中的所述高铝组分氮化物势垒层、所述插入层和所述沟道层直至所述缓冲层内，形成器件之间的隔离；

在所述高铝组分氮化物势垒层的上表面形成图形化阵列光刻区域；

根据所述图形化阵列光刻区域刻蚀所述高铝组分氮化物势垒层分别在源电极区域和漏电极区域形成若干凹槽；

分别在所述源电极区域和所述漏电极区域的所述若干凹槽内和所述高铝组分氮化物势垒层的上表面沉积金属叠层形成源电极和漏电极；

在所述高铝组分氮化物势垒层、所述源电极和所述漏电极的上表面生长钝化层；

刻蚀掉栅电极区域的钝化层，并在所述栅电极区域沉积栅金属形成栅电极；

刻蚀掉所述源电极和所述漏电极上的钝化层的中间位置直至所述源电极和所述漏电极的上表面，在所述栅电极、所述源电极和所述漏电极的上表面分别沉积互联金属，以完成高铝组分氮化物欧姆接触器件的制备。

2.根据权利要求1所述的高铝组分氮化物欧姆接触器件的制备方法，其特征在于，所述在衬底层的上表面依次生长成核层、缓冲层、沟道层、插入层和高铝组分氮化物势垒层，包括：

在所述衬底层的上表面生长厚度为50nm～80nm的AlN成核层；

在所述AlN成核层的上表面生长厚度为800nm～1200nm、Fe或C掺杂浓度为1.5×10¹⁸cm^-3～2×10¹⁸cm^-3的GaN或AlGaN缓冲层；

在所述GaN或AlGaN缓冲层的上表面生长厚度为100nm～400nm的GaN沟道层；

在所述GaN沟道层的上表面生长厚度为1nm～2nm的AlN插入层；

在所述AlN插入层的上表面生长厚度为6nm～15nm的高铝组分氮化物势垒层；其中，所述高铝组分氮化物势垒层为AlN或AlGaN或InAlN或InAlGaN或ScAlN或ScAlGaN，且AlGaN中Al组分不低于60％。

3.根据权利要求1所述的高铝组分氮化物欧姆接触器件的制备方法，其特征在于，所述在所述高铝组分氮化物势垒层的上表面形成图形化阵列光刻区域，包括：

在所述高铝组分氮化物势垒层的上表面形成圆形或六边形的图形化阵列光刻区域。

4.根据权利要求1所述的高铝组分氮化物欧姆接触器件的制备方法，其特征在于，所述根据所述图形化阵列光刻区域刻蚀所述高铝组分氮化物势垒层分别在源电极区域和漏电极区域形成若干凹槽，包括：

根据所述图形化阵列光刻区域刻蚀所述高铝组分氮化物势垒层分别在源电极区域和漏电极区域形成深度为0nm～15nm、形状为圆柱体或六边形柱体的若干凹槽。

5.根据权利要求1所述的高铝组分氮化物欧姆接触器件的制备方法，其特征在于，所述分别在所述源电极区域和所述漏电极区域的所述若干凹槽内和所述高铝组分氮化物势垒层的上表面沉积金属叠层，包括：

分别在所述源电极区域和所述漏电极区域的所述若干凹槽内和所述高铝组分氮化物势垒层的上表面从下到上依次沉积接触层、催化层、间隔层和帽层；其中，所述金属叠层包括从下到上依次包括所述接触层、所述催化层、所述间隔层和所述帽层。

6.根据权利要求1所述的高铝组分氮化物欧姆接触器件的制备方法，其特征在于，分别在所述源电极区域和所述漏电极区域的所述若干凹槽内和所述高铝组分氮化物势垒层的上表面沉积金属叠层，包括：

分别在所述源电极区域和所述漏电极区域的所述若干凹槽内和所述高铝组分氮化物势垒层的上表面沉积预沉积层；

在所述预沉积层的上表面从下到上依次沉积接触层、催化层、间隔层和帽层；其中，所述金属叠层包括从下到上依次包括所述接触层、所述催化层、所述间隔层和所述帽层。