[发明专利]一种化学放大型正性紫外光刻胶及其制备与使用方法在审
| 申请号： | 202110982014.8 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113671793A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 傅志伟;潘新刚;刘平;吴信;刘军林;梅崇余;冉瑞成 | 申请（专利权）人： | 江苏汉拓光学材料有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/039 | 分类号： | G03F7/039;G03F7/004;G03F7/32;G03F7/38;G03F7/40;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 陶柳涛 |
| 地址： | 221132 江苏省徐州市徐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种化学放大型正性紫外光刻胶及其制备与使用方法，所述光刻胶包括如下质量百分比的各组分：聚对羟基苯乙烯类聚合物树脂25～45％；光致产酸剂0.5～1.5％；酸猝灭剂0.1～0.2％；交联剂2～4％；流平剂0.1～0.5％；溶剂48.8～72.3％。制备方法包括以下步骤：按化学放大型正性紫外光刻胶的各组分混合。使用方法包括以下步骤：将化学放大型正性紫外光刻胶涂布在硅片上，依次经过前烘、曝光、后烘和显影。本发明解决光刻胶开裂的问题，尤其正性厚膜(10～30μm)光刻胶的开裂问题，适合集成电路后段钝化层或高能注入工艺，扩大应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 大型 紫外 光刻 及其 制备 使用方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏汉拓光学材料有限公司，未经江苏汉拓光学材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110982014.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
