[发明专利]一种锗掺杂类硅负极材料及制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110976701.9 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN113659124B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 高标;许雨龙;霍开富;郭思广;付继江 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京君有知识产权代理事务所(普通合伙) 11630 | 代理人： | 焦丽雅 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种锗掺杂类硅负极材料及制备方法和应用，该锗掺杂类硅负极材料由相连纳米骨架构成并拥有三维贯穿的孔道，锗很均匀的分散在硅骨架中，硅骨架所形成的颗粒约为1‑10μm。该发明根据等价类质同象理论制备的微量锗等掺杂微米硅负极，降低了硅负极首圈循环中的“死锂”残留，从而提高了硅负极的首圈库伦效率。且部分等价但直径更大的离子取代原离子扩大晶格尺寸来提高离子电导率，将锗或锑等作为等价原子与硅形成合金，稳定多孔硅整体骨架结构，能够极大的缓解硅在脱嵌锂过程中的体积变化，可应用于制作高首效、高容量和高倍率性能的锂离子电池负极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 负极 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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