[发明专利]碳化硅炉专用坩埚升降旋转机构在审
| 申请号： | 202110974686.4 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN113758252A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 夏孝平;贺贤汉;徐淑文;张城 | 申请（专利权）人： | 上海汉虹精密机械有限公司 |
| 主分类号： | F27B14/04 | 分类号： | F27B14/04;F27B14/08;F27B14/10 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体设备领域。碳化硅炉专用坩埚升降旋转机构，包括升降机构，升降机构的升降滑台上安装有旋转机构，旋转机构包括旋转轴，旋转轴通过磁流体旋转密封件与升降滑台转动连接；磁流体旋转密封件的外围与波纹管装置的下端相连，波纹管装置的上端为用于连接碳化硅炉底腔的波纹管上法兰；旋转轴的下端转动连接有旋转接头，旋转接头上设有进水口和出水口；旋转轴内设有冷却回路，冷却回路的一端与进水口导通，冷却回路的另一端与出水口导通。本专利通过增设有磁流体旋转密封件，起到旋转作用和高真空密封作用。便于实现了旋转处与碳化硅炉内腔的高密封性，进而可以保证碳化硅炉内腔的高真空度，适用于第三代半导体材料的加工生产。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 专用 坩埚 升降 旋转 机构 | ||
【主权项】：
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