[发明专利]LED外延结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110973917.X | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN113793887A | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 李福龙;刘晓峰;赵坤;魏金栋;薛轶博;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法，所述LED外延结构包括：生长衬底；电流扩展层，设置于所述生长衬底的上方，所述电流扩展层在所述生长衬底的厚度方向上依次包括第一子层和第二子层，所述第一子层的带隙高于所述第二子层的带隙；外延层，设置于所述第二子层的上方，且所述外延层在所述生长衬底的厚度方向上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。本发明的电流扩展层能够增加电流的横向扩散能力，提高LED外延结构的亮度以及抗静电能力，改善LED外延结构的正向电压，有利于器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 及其 制备 方法 芯片 | ||
【主权项】：
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