[发明专利]LED外延结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110973917.X | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN113793887A | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 李福龙;刘晓峰;赵坤;魏金栋;薛轶博;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 及其 制备 方法 芯片 | ||
1.一种LED外延结构，其特征在于，包括：
生长衬底；
电流扩展层，设置于所述生长衬底的上方，所述电流扩展层在所述生长衬底的厚度方向上依次包括第一子层和第二子层，所述第一子层的带隙高于所述第二子层的带隙；
外延层，设置于所述第二子层的上方，且所述外延层在所述生长衬底的厚度方向上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。
2.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一子层的厚度小于所述第二子层的厚度。
3.根据权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一子层的厚度介于0.5μm～1.5μm，所述第二子层的厚度介于1.5μm～3μm。
4.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述电流扩展层的材料为(AlXGa1-X)YIn1-YP，其中0≤X≤1，0≤Y≤1；所述第一子层中Al的含量大于所述第二子层中Al的含量。
5.根据权利要求4所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一子层的材料中Al的含量介于0.5～0.7，所述第二子层的材料中Al的含量介于0.25～0.4。
6.根据权利要求5所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一子层的材料为Al0。6Ga0.4InP，所述第二子层的材料为Al0.3Ga0.7InP。
7.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述外延层的第一半导体层和有源层之间设置有第一扩散阻挡层，所述第二半导体层和有源层之间设置有第二扩散阻挡层，所述第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层分别用于阻挡第一半导体层和第二半导体内的掺杂元素扩散至所述有源层内。
8.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构辐射红光。
9.一种LED芯片，其特征在于，包括：
基板；
外延层，位于所述基板的上方，所述外延层在所述基板的厚度方向上依次包括第二半导体层、有源层和第一半导体层；
电流扩展层，位于所述第一半导体层的上方，且所述电流扩展层在所述基板的厚度方向上依次包括第二子层和第一子层，所述第一子层的带隙高于所述第二子层的带隙。
10.根据权利要求9所述的LED芯片，其特征在于，所述第一子层在远离所述基板的一侧形成有粗化结构，所述粗化结构的深度小于或等于所述第一子层的厚度。
11.根据权利要求9所述的LED芯片，其特征在于，所述第一子层的厚度小于所述第二子层的厚度。
12.根据权利要求9所述的LED芯片，其特征在于，所述电流扩展层的材料为(AlXGa1-X)YIn1-YP，其中0≤X≤1，0≤Y≤1，所述第一子层中Al的含量大于所述第二子层中Al的含量。
13.根据权利要求9所述的LED芯片，其特征在于，所述外延层的第一半导体层和有源层之间设置有第一扩散阻挡层，第二半导体层和有源层之间设置有第二扩散阻挡层，所述第一扩散阻挡层和所述第二扩散阻挡层分别用于阻挡所述第一半导体层和所述第二半导体内的掺杂元素扩散至所述有源层内。
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