[发明专利]一种横向变掺杂终端结构及其设计方法有效
| 申请号： | 202110963630.9 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113658996B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 任敏;张雪璠;张新;叶昶宇;马荣耀;郑芳;苏醒;赵龙杰;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;G06F30/30 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种横向变掺杂终端结构及其设计方法，终端结构自表面到底部依次包括钝化层、轻掺杂第一类导电类型漂移区和阳极区，内部上方从左到右依次包括中等掺杂第二导电类型主结区、中等掺杂第二导电类型过渡区、中等掺杂第二导电类型分段线性VLD终端区和重掺杂第一导电类型浮空截止环，中等掺杂第二导电类型分段线性VLD终端区由杂质浓度从主结到终端末端呈两段或两段以上线性递减的区域构成。采用分段线性VLD区域的终端区可以获得更优的VLD终端表面电场，从而可以提升器件耐压，并降低终端表面氧化层电荷对VLD终端可靠性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 掺杂 终端 结构 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
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