[发明专利]一种复合压电基体及其制备方法在审
| 申请号： | 202110963337.2 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113690364A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 吴剑波;尹志军;叶志霖;倪荣萍;张虞;李胜雨;许志城 | 申请（专利权）人： | 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/08 | 分类号： | H01L41/08;H01L41/312 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种复合压电基体及其制备方法，所述复合压电基体包括釉料层(1)以及压电薄膜层(2)，所述方法选用主要成分为二氧化硅的釉料充当复合压电基体的基底，通过涂覆与压电薄膜层(2)熔接为一体，所述方法最高工艺温度不超过550℃，对键合面表面粗糙度要求低，并且，所述釉料对压电薄膜层(2)无损伤，所述复合压电基体还可以包括基底层(3)，所述釉料则作为粘结剂，将所述基底层(3)与所述压电薄膜层(2)粘结于一体形成所述复合压电基体，所述釉料对所述基底层(3)也无损伤，所用熔接设备成本低，能够提高生产效率，降低生产材料成本，准接层与压电晶体层的晶格常数无需接近。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 压电 基体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京南智先进光电集成技术研究院有限公司，未经南京南智先进光电集成技术研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110963337.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
