[发明专利]一种复合压电基体及其制备方法

权利要求书

1.一种复合压电基体，其特征在于，所述复合压电基体包括：釉料层(1)和压电薄膜层(2)，其中，所述釉料层(1)由釉料涂覆于所述压电薄膜层(2)而形成。

2.根据权利要求1所述的复合压电基体，其特征在于，

所述釉料层(1)的主要成分为二氧化硅，辅料包括氧化铝、氧化锌和乙基纤维素；和/或

所述釉料层(1)的厚度为2μm～500μm，热膨胀系数为3.0×10^-7K^-1～8.0×10^-6K^-1，折射率为1.4～1.7，杨氏模量为5.0×10¹⁰Pa(N/m²)～9.0×10¹⁰(N/m²)，熔融温度为200℃～550℃；和/或

所述釉料层(1)的孔隙率小于0.5％。

3.根据权利要求1或2所述的复合压电基体，其特征在于，所述压电薄膜层(2)键合面的表面粗糙度为0.1nm～5nm。

4.根据权利要求1至3任一项所述的复合压电基体，其特征在于，由键合面至基底面，所述釉料层(1)中组分均匀分布。

5.一种制备权利要求1至4任一项所述复合压电基体的方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤1，在压电晶圆表面涂覆釉料；

步骤2，对所述釉料进行平坦化处理并且定型，获得复合压电基体。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤1中所述釉料的主要成分为二氧化硅，辅料包括：氧化铝、氧化锌、乙基纤维素，溶剂包括：酯类和醚类、醇类、烃类化合物中的至少两种；和/或

所述釉料的粘度为50Pa·s～400Pa·s，主要成分为高纯二氧化硅，所述釉料的熔点低于压电晶圆的熔点；

优选地，所述釉料为玻璃浆料，其中，所述玻璃浆料的烧结温度为400℃-550℃，细度小于8μm，粘度为100Pa·s～200Pa·s。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，在步骤1之前，所述方法还包括：

步骤1-1，在所述压电晶圆的键合面制备准接层；

步骤1-2，对所述准接层进行平坦化处理；

其中，所述准接层由包括至少一个准接子层，每层所述准接子层由金属、金属化合物与无机非金属中的至少一种制备，其中，所述金属包括金、铂、铜、铝、铬、镍等中的至少一种，所述金属化合物包括氮化镓、氧化铝、氮化铝、砷化镓等中的至少一种，所述无机非金属包括二氧化硅、碳化硅、多晶硅以及氮化硅中的至少一种，所述准接层的厚度为0.1nm～10μm，优选为1～3μm。

8.根据权利要求5至7任一项所述的方法，其特征在于，步骤2包括：

对涂覆有所述釉料的压电晶圆加热至釉料溶剂的挥发温度，并保温；

继续升温至釉料熔点，保温后冷却。

9.一种复合压电基体，其特征在于，所述复合压电基体包括：基底层(3)、釉料层(1)和压电薄膜层(2)，其中，所述基底层(3)与所述压电薄膜层(2)通过所述釉料层(1)粘结。

10.一种制备复合压电基体的方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤1’，在压电晶圆和/或基底材料表面涂覆釉料；

步骤2’，对所述釉料进行平坦化处理获得釉料层；

步骤3’，将基底材料和/或压电晶圆贴合于步骤2’获得的釉料层上，获得压电晶圆-基底材料组合体，加热并向所述压电晶圆-基底材料组合体施加压力，保温保压后冷却。