[发明专利]PIP电容及形成方法在审
| 申请号： | 202110961310.X | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113675337A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 汤志林;王卉;付永琴;曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种PIP电容及形成方法，包括：提供衬底，衬底包括CELL区和PIP区；在PIP区的衬底内形成浅沟槽隔离结构；在CELL区的衬底上使用栅极结构的光罩形成多个间隔的栅极结构的同时，在浅沟槽隔离结构上使用栅极结构的光罩形成多个间隔的伪栅极结构，多个伪栅极结构之间露出浅沟槽隔离结构的表面，伪栅极结构的纵截面呈方形；在伪栅极结构上依次形成均呈正弦波形状的字线多晶硅和绝缘层；在绝缘层上形成栅极多晶硅。本发明的绝缘层为高低起伏的正弦波形状，增加了字线多晶硅和栅极多晶硅之间的相对面积，从而增加了PIP电容的电容值。并且，因为伪栅极结构是和栅极结构同时形成，不用采用额外的光罩和工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | pip 电容 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110961310.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于电子书的媒体资源页面展示方法及计算设备
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
