[发明专利]PIP电容及形成方法在审
| 申请号： | 202110961310.X | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113675337A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 汤志林;王卉;付永琴;曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | pip 电容 形成 方法 | ||
1.一种PIP电容的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括CELL区和PIP区；
在所述PIP区的衬底内形成浅沟槽隔离结构；
在所述CELL区的衬底上使用栅极结构的光罩形成多个间隔的栅极结构的同时，在所述浅沟槽隔离结构上使用栅极结构的光罩形成多个间隔的伪栅极结构，多个所述伪栅极结构之间露出所述浅沟槽隔离结构的表面，所述伪栅极结构的纵截面呈方形；
在所述伪栅极结构上依次形成均呈正弦波形状的字线多晶硅和绝缘层；
在所述绝缘层上形成栅极多晶硅。
2.如权利要求1所述的PIP电容的形成方法，其特征在于，所述伪栅极结构和所述栅极结构相同。
3.如权利要求1所述的PIP电容的形成方法，其特征在于，所述伪栅极结构的纵截面的宽度为0.2微米，高度为3900埃～4100埃，相邻的所述伪栅极结构之间的距离为0.3微米。
4.如权利要求1所述的PIP电容的形成方法，其特征在于，在所述伪栅极结构上形成呈正弦波形状的字线多晶硅的方法包括：
形成第一多晶硅层覆盖所述伪栅极结构和位于所述伪栅极结构之间的浅沟槽隔离结构的表面，刻蚀所述第一多晶硅层形成呈正弦波的形状的字线多晶硅，并且，正弦波的波谷位于相邻的所述伪栅极结构之间。
5.如权利要求4所述的PIP电容的形成方法，其特征在于，所述第一多晶硅层的厚度为1710埃～2090埃。
6.如权利要求1所述的PIP电容的形成方法，其特征在于，形成呈正弦波形状的绝缘层的方法包括：
在呈正弦波形状的所述字线多晶硅上沉积一层氧化物层，所述氧化物层跟随所述字线多晶硅的形状成为正弦波的形状，所述绝缘层的正弦波的波谷与所述字线多晶硅的波谷相对。
7.如权利要求1所述的PIP电容的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为140埃～160埃。
8.如权利要求1所述的PIP电容的形成方法，其特征在于，正弦波的所述绝缘层的波谷和波峰的高度差为2400埃～2600埃。
9.如权利要求1所述的PIP电容的形成方法，其特征在于，形成所述栅极多晶硅的方法包括：
在所述绝缘层上沉积第二多晶硅层，所述第二多晶硅层填充所述绝缘层的波谷和波峰之间形成的沟槽。
10.一种使用如权利要求1～9任一项所述的PIP电容的形成方法形成的PIP电容，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底内的浅沟槽隔离结构；
位于所述浅沟槽隔离结构上的多个间隔的伪栅极结构，所述伪栅极结构的纵截面呈方形；
分别位于所述伪栅极结构上的均呈正弦波形状的字线多晶硅和绝缘层；
位于所述绝缘层上的栅极多晶硅。
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