[发明专利]具有混合栅电极结构的氮化镓常关型器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110956607.7 | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN113838930A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 蒲涛飞;李柳暗;敖金平 | 申请（专利权）人： | 宁波铼微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/40;H01L29/45;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 315800 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有混合栅电极结构的氮化镓常关型器件及其制备方法，该器件包括：依次设置于衬底层上的缓冲层、GaN沟道层、AlGaN层、P‑GaN帽层；设置于AlGaN层上的两个欧姆电极；设置于P‑GaN帽层上及P‑GaN帽层两侧的栅介质层；设置于欧姆电极与P‑GaN帽层两侧的栅介质层之间AlGaN层上的钝化层；设置于栅介质层上和填充栅介质层凹槽内的栅电极；其中，P‑GaN帽层上栅介质层上的栅电极和填充于若干凹槽内的栅电极构成MIS栅电极结构和肖特基栅电极结构的混合栅结构；P‑GaN帽层两侧的栅介质层上的栅电极和P‑GaN帽层两侧的栅介质层构成场板结构。本发明提高了器件栅电极的阈值电压，提高了器件的开关频率，同时提升了器件栅电极的长期可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 混合 电极 结构 氮化 镓常关型 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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