[发明专利]晶体生长装置和晶体生长方法有效
申请号: | 202110952925.6 | 申请日: | 2021-08-19 |
公开(公告)号: | CN113652751B | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 彭程;张洁;廖弘基;陈华荣 | 申请(专利权)人: | 福建北电新材料科技有限公司 |
主分类号: | C30B29/36 | 分类号: | C30B29/36;C30B23/00 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 刘曾 |
地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: |
本发明涉及晶体生长技术领域,具体而言,涉及一种晶体生长装置和晶体生长方法。晶体生长装置包括坩埚盖和坩埚体;坩埚体包括相互配合的侧壁和底壁;沿坩埚体的高度,侧壁包括多个壁体和多个连接段,壁体和连接段依次错开连接;坩埚盖、底壁和壁体均由第一石墨材质制成,连接段由第二石墨材质制成;且第一石墨材质的密度大于第二石墨材质的密度。如此能够提高坩埚内部的N |
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搜索关键词: | 晶体生长 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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