[发明专利]碳化硅晶体生长装置和晶体生长方法有效
| 申请号： | 202110940779.5 | 申请日： | 2021-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN113622016B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 王睿仑;张洁;廖弘基;杨树 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘曾 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体生长装置和晶体生长方法。碳化硅晶体生长装置包括坩埚和网状件；网状件设置在坩埚的坩埚体中，且网状件的周缘与坩埚体的内壁抵持；网状件呈朝向坩埚体底部的凹状；坩埚底部被配置为用于盛放原料粉料，网状件被配置为贴合覆盖原料粉料，原料粉料朝向坩埚体顶面的表面具有与网状件相适配的凹状。其能够通过料面凹凸程度的改变，能够有效利用热场，使得晶体内应力下降以及氮掺杂更加均匀，从两方面解决SF的出现以及尽可能的降低BPD的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
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