[发明专利]碳化硅晶体生长装置和晶体生长方法

权利要求书

1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：

坩埚(100)和网状件(200)；

所述网状件(200)设置在所述坩埚(100)的坩埚体(110)中，且所述网状件(200)的周缘与所述坩埚体(110)的内壁抵持，所述网状件(200)呈朝向坩埚体(110)底部的凹状；

坩埚(100)底部被配置为用于盛放原料粉料(22)，所述网状件(200)被配置为贴合覆盖所述原料粉料(22)，所述原料粉料(22)朝向所述坩埚体(110)顶面的表面具有与所述网状件(200)相适配的凹状。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

所述网状件(200)为金属网格片；和/或，所述网状件(200)为多层。

3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

所述网状件(200)为钽网。

4.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

还包括载台(300)；

所述载台(300)的周缘与所述坩埚体(110)的内壁抵持；

所述载台(300)的中心具有朝向坩埚体(110)的坩埚盖(120)的贯穿的引流通道(310)；且从远离所述坩埚盖(120)到靠近所述坩埚盖(120)的方向，所述引流通道(310)的开口逐渐减小。

5.根据权利要求4所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

还包括金属筛网(400)；

所述金属筛网(400)设置在所述载台(300)的靠近所述坩埚盖(120)的顶部，以覆盖所述引流通道(310)的开口。

6.根据权利要求5所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

所述引流通道(310)靠近所述坩埚盖(120)的开口处设置有沉台(320)；

所述金属筛网(400)设置在所述沉台(320)上以覆盖所述引流通道(310)的开口。

7.根据权利要求6所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

还包括导流罩(500)；

所述导流罩(500)具有沿坩埚体(110)高度方向贯穿的导流通道(510)；

所述导流罩(500)的底部抵持在所述引流通道(310)的开口的周缘，所述导流罩(500)的顶部抵持在坩埚盖(120)上的籽晶(21)的周缘；

且所述导流通道(510)与所述引流通道(310)正对。

8.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

还包括石墨纸(600)；

所述石墨纸(600)的周缘与所述坩埚体(110)的内壁抵持；且所述石墨纸(600)设置在所述网状件(200)靠近所述坩埚体(110)底部的一侧。

9.根据权利要求8所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

还包括多晶碳化硅晶锭材料(700)；

所述多晶碳化硅晶锭材料(700)填充在所述网状件(200)与所述石墨纸(600)之间。

10.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

还包括多孔石墨层(800)；

所述多孔石墨层(800)设置在所述网状件(200)远离所述坩埚体(110)底部的一侧。

11.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：

坩埚(100)，所述坩埚(100)包括坩埚体(110)，坩埚体(110)用于盛放原料粉料(22)；

网状件(200)，所述网状件(200)用于设置在所述坩埚体(110)中，具有呈朝向坩埚体(110)底部的凹状，被配置为与所述坩埚体(110)的内壁抵持并固定所述原料粉料(22)，所述原料粉料(22)朝向坩埚体(110)顶面的表面具有与所述网状件(200)相适配的凹状。