[发明专利]一种MOCVD反应腔室清扫装置及其清扫方法有效
| 申请号： | 202110936551.9 | 申请日： | 2021-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN113652671B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 郗修臻;袁松;钮应喜;单卫平;赵清;左万胜;史文华;张晓洪;刘志远 | 申请（专利权）人： | 安徽长飞先进半导体有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C30B25/02;B08B1/04 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 马荣 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种应用于MOCVD技术领域的MOCVD反应腔室清扫装置，本发明还涉及一种MOCVD反应腔室清扫方法，所述的MOCVD反应腔室清扫装置的每个擦拭部件Ⅰ(3)包括上部支撑件(4)和下部支撑件(5)，每个擦拭部件Ⅰ(3)外侧分别设置擦拭件Ⅰ(6)，上部支撑件(4)和下部支撑件(5)通过金属轴(7)活动连接，上部支撑件(4)上端活动连接支撑部件(2)，下部支撑件(5)下端活动连接承载部件(1)，支撑部件(2)上表面设置擦拭件Ⅱ(8)，本发明所述的MOCVD反应腔室清扫装置及清扫方法，在不打开反应腔室情况下，对反应腔室侧壁和上顶盖上的副产物进行清理，确保反应腔室清理时清理干净彻底，不会损坏反应腔室。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mocvd 反应 清扫 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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