[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110935795.5 | 申请日： | 2021-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN114566591A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 梁基延;安东浩;李昌承 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种包括多个半导体单元器件的半导体装置。每个半导体单元器件可以布置于在垂直于衬底的方向上彼此分开的第一绝缘层和第二绝缘层之间。每个半导体单元器件可以包括在平行于衬底的方向上并排延伸的选择器件层和相变材料层。相变材料层可以具有类超晶格结构。相变材料层可以沿着由第一绝缘层、第二绝缘层和选择器件层形成的凹陷部分布置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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