[发明专利]自旋流磁化旋转元件、磁阻效应元件及磁存储器在审

专利信息
申请号: 202110928639.6 申请日: 2018-01-26
公开(公告)号: CN113659071A 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 盐川阳平;佐佐木智生 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01L43/06 分类号: H01L43/06;H01L43/08;H01L43/10
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;尹明花
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的磁阻效应元件,具备:自旋流磁化旋转元件、磁化方向被固定的第二铁磁性金属层、夹持于自旋流磁化旋转元件的第一铁磁性金属层与第二铁磁性金属层之间的非磁性体层、以及基板,在基板的第二铁磁性金属层侧的面形成基底层,基底层是选自:包含从Ti、Zr、Nb、V、Hf、Ta、Mo、W、B、Al、Ce中选择的至少一种元素的氮化物的层;以组成式XYO3表示的钙钛矿型导电性氧化物的层;包含从Mg、Al、Ce选择的至少一种元素的氧化物的层;以及,包含从Al、Cr、Fe、Co、Rh、Pd、Ag、Ir、Pt、Au、Mo、W中选择的至少一种元素的层;中的至少一种。
搜索关键词: 自旋 磁化 旋转 元件 磁阻 效应 磁存储器
【主权项】:
暂无信息
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