[发明专利]一种基于氮化镓微米线高电子迁移率晶体管阵列及制备方法在审
| 申请号： | 202110920133.0 | 申请日： | 2021-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN113809152A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 李京波;孙一鸣;王小周 | 申请（专利权）人： | 浙江芯国半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/335;H01L29/778;H01L27/085 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 311421 浙江省杭州市富*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氮化镓微米线高电子迁移率晶体管阵列及制备方法，该阵列包括：衬底，所述衬底为单面抛光硅片；二氧化硅绝缘层，间隔形成在所述衬底上，以使未覆盖所述二氧化硅绝缘层的衬底上形成若干条状凹槽；多条微米线，设置在每个所述条状凹槽内；电极结构，设置在所述多条微米线和所述二氧化硅绝缘层上方且与所述条状凹槽方向垂直，所述电极结构包括依次平行设置的漏电极、栅电极和源电极；其中，所述微米线为梯形结构，依次包括AIN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层。本发明具有生长工艺简单、无引入刻蚀、成本较低、工艺重复性和一致性高等优点，同时GaN微米线可充分利用自身的优点，使得一维材料走向实用器件，具有巨大的潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氮化 微米 电子 迁移率 晶体管 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
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