[发明专利]蒸发源结构及蒸发式PECVD设备在审
| 申请号： | 202110906533.6 | 申请日： | 2021-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN113755821A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张运祥;张勤芳;王仲杰;陈霄;侯海军;戴海璐;刘超 | 申请（专利权）人： | 盐城工学院 |
| 主分类号： | C23C16/448 | 分类号： | C23C16/448;C23C16/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 224051 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种蒸发源结构及蒸发式PECVD设备，其中，该蒸发源结构包括：蒸发源底托，用于支撑蒸发源结构；蒸发部分，设置于蒸发源底托上，用于将镀膜材料蒸发成气态；裂解部分，设置于蒸发部分上，与蒸发部分相连通，用于将蒸发部分中蒸发成气态的大分子形态镀膜材料裂解成小分子或原子形态镀膜材料；差分输运部分，设置于裂解部分的侧面，用于输运载气，并利用载气选择性输运气态的镀膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 蒸发 结构 pecvd 设备 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
