[发明专利]蒸发源结构及蒸发式PECVD设备

权利要求书

1.一种蒸发源结构，所述蒸发源结构包括：

蒸发源底托，用于支撑所述蒸发源结构；

蒸发部分，设置于所述蒸发源底托上，用于将镀膜材料蒸发成气态；

裂解部分，设置于所述蒸发部分上，与所述蒸发部分相连通，用于将蒸发部分中蒸发成所述气态的大分子形态镀膜材料裂解成小分子或原子形态镀膜材料；

差分输运部分，设置于裂解部分的侧面，用于输运载气，并利用所述载气选择性输运所述气态的镀膜材料。

2.根据权利要求1所述的蒸发源结构，其中，所述蒸发部分包括蒸发源主体，所述蒸发源主体包括：

坩埚，设置于所述蒸发源主体内部，所述坩埚外壁上设置有多条螺纹；

外部热屏蔽罩，环绕设置于所述蒸发源主体表面；

蒸发源加热丝，设置于所述坩埚外壁上的多条所述螺纹上，所述加热丝被所述外部热屏蔽罩覆盖，所述加热丝与所述外部热屏蔽罩之间具有预设距离；

蒸发源节流盖，设置于所述坩埚口部，与所述裂解部分的底部相连通，其中，所述蒸发源节流盖中间设置有通孔；

冷却水管道，环绕覆盖于所述加热丝，用于对热蒸发的所述镀膜材料进行冷却降温。

3.根据权利要求2所述的蒸发源结构，其中，所述外部热屏蔽罩的内径与所述坩埚口部的外径相等，所述坩埚口部的外沿与所述外部热屏蔽罩的顶部为同一水平线上。

4.根据权利要求2所述的蒸发源结构，其中，所述坩埚和所述外部热屏蔽罩的材质均包括以下之一：石墨、氧化铝、氧化锆、氧化硼，其中，所述石墨的纯度大于或等于99.9％。

5.根据权利要求2所述的蒸发源结构，其中，所述坩埚外壁上的所述螺纹的直径为1～1.5mm，用于固定所述蒸发源加热丝的位置；所述蒸发源加热丝的之间的间距大于0.5mm；所述蒸发源加热丝与所述外部热屏蔽罩之间具有预设距离为1～3mm；所述蒸发源节流盖的通孔的孔径为0.3～2mm，孔深为2～10mm。

6.根据权利要求2所述的蒸发源结构，其中，所述裂解部分包括裂解器和裂解加热单元，其中，所述裂解器内部设置有多个通气管，所述通气管的一侧与所述蒸发源节流盖的通孔内嵌连通，所述通气管的直径为0.5～1mm；所述裂解加热单元，设置于所述裂解器的顶部，用于加热所述裂解器。

7.根据权利要求6所述蒸发源结构，其中，所述裂解加热单元包括裂解加热丝、陶瓷管、盖板；所述裂解加热丝平铺于所述裂解器的顶部，所述裂解加热丝的外部设置有陶瓷管；所述盖板设置于所述陶瓷管的顶部，用于固定所述陶瓷管，所述陶瓷管的间距为1～2mm。

8.根据权利要求6所述蒸发源结构，其中，所述差分输运部分包括进气管和出气管，其中，所述进气管和所述出气管分别设置于所述裂解器的不同的侧面，与所述通气管的另一侧形成输运通道，所述输运通道用于输运所述载气输运的所述气态的镀膜材料。

9.根据权利要求1所述的蒸发源结构，还包括：至少三个蒸发源固定支架，用于连接所述蒸发源底托、所述蒸发部分和所述裂解部分；所述蒸发部分与所述裂解部分的接触面之间的洁净度大于4。

10.一种蒸发式PECVD设备，包括：如权利要求1～9中任一项所述的蒸发源结构。