[发明专利]一种集成肖特基二极管的高压增强型HEMT及其制备方法在审
| 申请号： | 202110906488.4 | 申请日： | 2021-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN113594233A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 毛明华;李佳霖;尹以安 | 申请（专利权）人： | 迪优未来科技（清远）有限公司;华南师大（清远）科技创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919 | 代理人： | 仵乐娟 |
| 地址： | 511540 广东省清远市高新技术产业开发区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成肖特基二极管的高压增强型HEMT及制备方法，包括由第一缓冲层、第一沟道层、第二沟道层、第二缓冲层和第三沟道层依次层叠而成的外延叠层；沟道层由GaN子沟道层、AlN插入层和AlGaN势垒层依次层叠而成，阳极和阴极分别设置于第一沟道层中子沟道层的表面，源极和漏极分别设置于第三沟道层中子沟道层的表面，栅极凹槽延伸至第三沟道层中子沟道层的表面，形成MIS槽栅，第二缓冲层中设置有p型势垒层，阳极与第一、第二沟道层及缓冲层形成肖特基接触，并连接至p型势垒层，阴极与第一、第二沟道层形成欧姆接触，形成了低反向压降、高反向饱和电流、高击穿电压和低泄漏电流的集成肖特基二极管的高压增强型HEMT。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 肖特基 二极管 高压 增强 hemt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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