[发明专利]带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110897248.2 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113782432A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 颜树范 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件及其制造方法。器件包括：有源区和终端保护区，终端保护区位于有源区的外周；终端保护区中形成沟槽型屏蔽栅结构；沟槽型屏蔽栅结构，包括：屏蔽栅沟槽，屏蔽栅沟槽从终端保护区位置处的基底层上表面向下延伸；屏蔽栅氧化层，屏蔽栅氧化层依照带有屏蔽栅沟槽的终端保护区表面形貌，覆盖在终端保护区位置处的基底层表面，在屏蔽栅沟槽位置处形成屏蔽栅多晶硅容置空间；屏蔽栅多晶硅结构，屏蔽栅多晶硅结构包括填充在屏蔽栅多晶硅容置空间中的第一屏蔽栅多晶硅部，和覆盖在屏蔽栅氧化层上的第二屏蔽栅多晶硅部，第二屏蔽栅多晶硅部与第一屏蔽栅多晶硅部连为一体。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 沟槽 屏蔽 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
