[发明专利]带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，所述带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件包括：有源区和终端保护区，所述终端保护区位于所述有源区的外周；

所述有源区中形成有源器件的栅极结构和源漏极；

所述终端保护区中形成沟槽型屏蔽栅结构；

所述沟槽型屏蔽栅结构，包括：

屏蔽栅沟槽，所述屏蔽栅沟槽从所述终端保护区位置处的基底层上表面向下延伸；

屏蔽栅氧化层，所述屏蔽栅氧化层依照带有所述屏蔽栅沟槽的终端保护区表面形貌，覆盖在所述终端保护区位置处的基底层表面，在所述屏蔽栅沟槽位置处形成屏蔽栅多晶硅容置空间；

屏蔽栅多晶硅结构，所述屏蔽栅多晶硅结构包括填充在所述屏蔽栅多晶硅容置空间中的第一屏蔽栅多晶硅部，和覆盖在所述屏蔽栅氧化层上的第二屏蔽栅多晶硅部，所述第二屏蔽栅多晶硅部与所述第一屏蔽栅多晶硅部连为一体。

2.如权利要求1所述的带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，所述第一屏蔽栅多晶硅部的延伸方向与所述屏蔽栅沟槽的延伸方向一致。

3.如权利要求1所述的带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，所述第二屏蔽栅多晶硅部的延伸方向与所述基底层上表面的延伸方向一致。

4.如权利要求1所述的带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，所述带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件还包括：

接触孔介质层，所述接触孔介质层覆盖在所述有源区上，和所述终端保护区上；

对应所述沟槽型屏蔽栅结构的接触孔介质层位置处，开设屏蔽栅接触孔；

所述屏蔽栅接触孔的孔底端位于所述第二屏蔽栅多晶硅部的上表面。

5.一种带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件的制造方法，包括依次进行的以下步骤：

提供形成有多个沟槽的基底层，所述基底层包括有源区和终端保护区，所述终端保护区位于所述有源区的外周，位于所述终端保护区位置处的沟槽为屏蔽栅沟槽；

依照带有所述沟槽的基底层表面形貌，在带有所述沟槽的基底层上表面形成第一介质层，使得所述沟槽位置处形成第一多晶硅容置空间；所述屏蔽栅沟槽位置处的第一多晶硅容置空间为屏蔽栅多晶硅容置空间；

生长多晶硅，使得所述多晶硅填充满所述第一多晶硅容置空间形成第一多晶硅部后，继续成长覆盖在所述第一介质层上形成第二多晶硅部；

进行第一光刻，刻蚀去除位于所述有源区位置处的第二多晶硅部和所述第一多晶硅部的上部，保留所述终端保护区中的第二多晶硅部和第一多晶硅部；

制作位于所述有源区中有源器件的栅极结构和源漏极。

6.如权利要求5所述的带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述进行第一光刻，刻蚀去除位于所述有源区位置处的第二多晶硅部和所述第一多晶硅部的上部，保留所述终端保护区中的第二多晶硅部和第一多晶硅部的步骤，完成后，剩余在所述终端保护区中的第一多晶硅部为第一屏蔽栅多晶硅部，剩余在所述终端保护区中的第二多晶硅部为第二屏蔽栅多晶硅部；

所述第一屏蔽栅多晶硅部的延伸方向与所述屏蔽栅沟槽的延伸方向一致。

7.如权利要求6所述的带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二屏蔽栅多晶硅部的延伸方向与所述基底层上表面的延伸方向一致。

8.如权利要求5所述的带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法还包括依次进行的以下步骤：

制作接触孔介质层，使得所述接触孔介质层至少覆盖在所述有源区上，和所述终端保护区的第二多晶硅部上；

在所述接触孔介质层制作形成接触孔，使得位于所述终端保护区的接触孔的孔底端位于所述第二屏蔽栅多晶硅部的上表面。