[发明专利]图案化光阻层的方法及极紫外光光阻材料在审
| 申请号： | 202110891053.7 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN115050633A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 翁明晖;郑雅如;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;G03F7/004 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图案化光阻层的方法及极紫外光光阻材料，在此叙述的光阻材料可包括具有一或多种配位基的多个种类的锡(Sn)簇合物。作为一实例，在此叙述的光阻材料可包括带有两个或以上不同种类的羧酸盐配位基的锡簇合物。作为另一实例，在此叙述的光阻材料可包括氧化锡簇合物，氧化锡簇合物包括碳酸根配位基。此两个或以上不同种类的羧酸盐配位基与碳酸根配位基可减少、最小化及/或防止在此叙述的光阻材料的结晶，从而可增加光阻材料的涂布效能并降低使用在此叙述的光阻材料所形成的光阻层的表面粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 化光阻层 方法 紫外 光光 材料 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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